sme.sk
 
diplomovka.sme.sk » Katalóg » Slovenská technická univerzita v Bratislave » Fakulta elektrotechnity a informatiky » Katedra fyziky » Study of Point Defects in Silicon Using Quantum-mechanical...

Meta:

Za prácu už hlasovalo
28 čitateľov
Zaujala aj vás? Hlasujte!

Study of Point Defects in Silicon Using Quantum-mechanical Methods

Karol Jarolimek (Školiteľ: doc. Ing. Peter Ballo, PhD.) | pridané: 2. júna 2007

Abstrakt diplomovej práce:

A semi-empirical method MNDO is used to examine two main groups of

point defects in silicon namely: oxygen-nitrogen based defects and vacancynitrogen

based defects. The defects are placed in the middle of a H-terminated

cluster to model real conditions in silicon material. From the first group

of defects the semi-empirical calculations suggest the double interstitial nitrogen

N2 to be the most stable one. Among the vacancy-nitrogen type

defects the calculations showed that V2N2 is the most stable defect compared

to the VN2 structure. Oxygen related defects are treated using New

Oxygen Parametrization (NOP) within the framework of MNDO method.

For silicon, nitrogen and hydrogen original parameters from AM1 were used.

Convergence studies were performed as a preparation for Density Functional

Theory modeling of point defects using the super-cell approach.

Diskusia k vedeckej práci:

Dostupnosť diplomovej práce:

Diplomovú prácu poskytne autor na záujemcom na požiadanie (pošlite autorovi správu cez doleuvedený formulár).

Diplomovú prácu si môžete stiahnuť z nášho portálu:
zdroj/3069.pdf 1 606 116 B.

Diplomová práca sa nachádza v knižnici tejto vysokej školy:
Slovenská technická univerzita v Bratislave - Fakulta elektrotechnity a informatiky - Katedra fyziky

Slovenská technická univerzita v Bratislave, Fakulta elektrotechniky a informatiky, Knižnica
Ilkovičova 3
Bratislava 1
812 19
http://www.elf.stuba.sk/

Kontakt na autora diplomovej práce

Správa pre diplomanta/autora:

Bezpečnostný kód:
Kontrola
 

Bibliografický odkaz

JAROLIMEK, Karol: Study of Point Defects in Silicon Using Quantum-mechanical Methods [ Diplomová práca ] Slovenská technická univerzita v Bratislave, Fakulta elektrotechnity a informatiky, Katedra fyziky. Školiteľ: doc. Ing. Peter Ballo, PhD.. Rok obhajoby: 2007